Несмотря на то, что карбид кремния — SiC — долгое время считался ключом к разработке электроники, пригодной для использования в экстремальных условиях, эта область исследований какое-то время оставалась в стадии разработки. Недавно группе исследователей из Киотского университета, специализирующихся на полевых транзисторах с изолированным затвором, или JFET, удалось разработать новую структуру карбидокремниевого транзистора, способного работать при температуре 600 °C. Следующей целью исследователей было масштабирование до уровня производства пластин, и теперь они этого добились.
